半導(dǎo)體裝置和光電探測系統(tǒng)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010470264.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111540805A | 公開（公告）日 | 2020-08-14 |
| 申請公布號(hào) | CN111540805A | 申請公布日 | 2020-08-14 |
| 分類號(hào) | H01L31/101(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 徐青;張璽;王麟;尼古拉達(dá)申佐;謝慶國 | 申請（專利權(quán)）人 | 湖北京邦科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 436044湖北省鄂州市梧桐湖新區(qū)東湖高新科技創(chuàng)意城A03棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請公開了一種半導(dǎo)體裝置和光電探測系統(tǒng)，該半導(dǎo)體裝置可以包括：襯底；外延層，其位于所述襯底的上方，并且與所述襯底均呈第一導(dǎo)電類型；第一摻雜區(qū)，其形成于所述外延層中的遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，呈與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型，并且通過所述第一摻雜區(qū)形成所述半導(dǎo)體裝置的輸出端；第二摻雜區(qū)，其形成于所述一側(cè)并呈所述第二導(dǎo)電類型；第三摻雜區(qū)，其形成于所述一側(cè)并呈所述第一導(dǎo)電類型，其中，所述第二摻雜區(qū)位于所述第一摻雜區(qū)與所述第三摻雜區(qū)之間，并且所述襯底、所述第一摻雜區(qū)至所述第三摻雜區(qū)的摻雜濃度均大于所述外延層的摻雜濃度。通過利用本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，可以提高對波長較長的光子的探測效率。?? |
