半導(dǎo)體裝置和光電探測(cè)系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010470256.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111540804A | 公開（公告）日 | 2020-08-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111540804A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-14 |
| 分類號(hào) | H01L31/101(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張璽;徐青;王麟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖北京邦科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 436044湖北省鄂州市梧桐湖新區(qū)東湖高新科技創(chuàng)意城A03棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種半導(dǎo)體裝置和光電探測(cè)系統(tǒng)，該半導(dǎo)體裝置可以包括：外延層，其包括呈第一導(dǎo)電類型的第一部分和第二部分，并且在第一部分中的遠(yuǎn)離第二部分的一側(cè)形成有呈與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、以及呈第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)，其中，第二摻雜區(qū)位于第一摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)之間，并且第二部分、第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)以及第三摻雜區(qū)的摻雜濃度均大于第一部分的摻雜濃度，并且通過(guò)第一摻雜區(qū)形成該半導(dǎo)體裝置的輸出端；鈍化層，其位于第一部分的一側(cè)上方，并且其內(nèi)部形成有與第一摻雜區(qū)對(duì)應(yīng)的反射區(qū)。通過(guò)利用本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，可以提高對(duì)波長(zhǎng)較長(zhǎng)的光子的探測(cè)效率。?? |
