硅光電倍增器、光電探測(cè)裝置及成像系統(tǒng)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202020936582.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN211980623U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-20 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN211980623U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-20 |
| 分類號(hào) | H01L31/02(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張璽;徐青;王麟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖北京邦科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 436044湖北省鄂州市梧桐湖新區(qū)東湖高新科技創(chuàng)意城A03棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種硅光電倍增器、光電探測(cè)裝置及成像系統(tǒng)，該硅光電倍增器包括：雪崩光電二極管陣列，其包括第一雪崩光電二極管和第二雪崩光電二極管，并且第二雪崩光電二極管設(shè)置在第一雪崩光電二極管的外圍，以將第一雪崩光電二極管與第一電極間隔開(kāi)；淬滅單元，其用于在雪崩光電二極管陣列發(fā)生雪崩擊穿效應(yīng)時(shí)對(duì)雪崩光電二極管陣列進(jìn)行淬滅，其中，第一雪崩光電二極管的兩端分別與第一電極和第二電極連接；第二雪崩光電二極管的兩端分別與第一電極和第三電極連接，當(dāng)?shù)诙┍拦怆姸O管處于工作狀態(tài)時(shí)，在其內(nèi)形成的耗盡區(qū)在深度方向上至少覆蓋外延層的一部分。通過(guò)利用本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，可以實(shí)現(xiàn)提高對(duì)波長(zhǎng)較長(zhǎng)的光子的探測(cè)效率。?? |
