光電探測(cè)裝置的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010471029.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111628034A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111628034A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-04 |
| 分類號(hào) | H01L31/101(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐青;張璽;王麟;尼古拉達(dá)申佐;謝慶國(guó) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖北京邦科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 436044湖北省鄂州市梧桐湖新區(qū)東湖高新科技創(chuàng)意城A03棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種光電探測(cè)裝置的制造方法，其包括：在所制備的襯底上生長(zhǎng)出外延層，其中，外延層和襯底均呈第一導(dǎo)電類型；在外延層中的遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)形成呈與第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)以及呈第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)，其中，第二摻雜區(qū)位于第一摻雜區(qū)與所述第三摻雜區(qū)之間；在外延層的一側(cè)上方形成分別與第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)以及第三摻雜區(qū)連接的第一焊盤、第二焊盤以及第三焊盤以獲得對(duì)應(yīng)的電極。通過(guò)利用本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，可以提供適合于對(duì)波長(zhǎng)較長(zhǎng)的光子進(jìn)行探測(cè)的裝置。?? |
