光電探測裝置的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010471029.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111628034A 公開（公告）日 2020-09-04
申請公布號 CN111628034A 申請公布日 2020-09-04
分類號 H01L31/101(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐青;張璽;王麟;尼古拉達申佐;謝慶國 申請（專利權(quán)）人 湖北京邦科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 436044湖北省鄂州市梧桐湖新區(qū)東湖高新科技創(chuàng)意城A03棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種光電探測裝置的制造方法，其包括：在所制備的襯底上生長出外延層，其中，外延層和襯底均呈第一導電類型；在外延層中的遠離襯底的一側(cè)形成呈與第一導電類型相反的第二導電類型的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)以及呈第一導電類型的第三摻雜區(qū)，其中，第二摻雜區(qū)位于第一摻雜區(qū)與所述第三摻雜區(qū)之間；在外延層的一側(cè)上方形成分別與第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)以及第三摻雜區(qū)連接的第一焊盤、第二焊盤以及第三焊盤以獲得對應的電極。通過利用本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，可以提供適合于對波長較長的光子進行探測的裝置。??