半導(dǎo)體裝置和光電探測系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020944173.X 申請日 -
公開（公告）號 CN211980629U 公開（公告）日 2020-11-20
申請公布號 CN211980629U 申請公布日 2020-11-20
分類號 H01L31/101(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張璽;徐青;王麟 申請（專利權(quán)）人 湖北京邦科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 436044湖北省鄂州市梧桐湖新區(qū)東湖高新科技創(chuàng)意城A03棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種半導(dǎo)體裝置和光電探測系統(tǒng)，該半導(dǎo)體裝置可以包括：外延層，其包括呈第一導(dǎo)電類型的第一部分和第二部分，并且在第一部分中的遠離第二部分的一側(cè)形成有呈與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)、以及呈第一導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)，其中，第二摻雜區(qū)位于第一摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)之間，并且第二部分、第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)以及第三摻雜區(qū)的摻雜濃度均大于第一部分的摻雜濃度，并且通過第一摻雜區(qū)形成該半導(dǎo)體裝置的輸出端；鈍化層，其位于第一部分的一側(cè)上方，并且其內(nèi)部形成有與第一摻雜區(qū)對應(yīng)的反射區(qū)。通過利用本實用新型提供的技術(shù)方案，可以提高對波長較長的光子的探測效率。??