光電探測(cè)裝置的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010471023.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111628033A | 公開（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111628033A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-04 |
| 分類號(hào) | H01L31/101(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張璽;徐青;王麟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖北京邦科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 436044湖北省鄂州市梧桐湖新區(qū)東湖高新科技創(chuàng)意城A03棟 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種光電探測(cè)裝置的制造方法，包括：在所制備的第一襯底上生長出外延層，在外延層中的遠(yuǎn)離第一襯底的一側(cè)形成第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)以及第三摻雜區(qū)，其中，第二摻雜區(qū)位于第一摻雜區(qū)與第三摻雜區(qū)之間；在外延層的一側(cè)上方形成反射結(jié)構(gòu)；對(duì)第一襯底進(jìn)行處理以露出外延層中的另一側(cè)；對(duì)另一側(cè)進(jìn)行摻雜處理以形成第四摻雜區(qū)；在第四摻雜區(qū)下方制備與第一摻雜區(qū)、第二摻雜區(qū)以及第三摻雜區(qū)分別連接的第一焊盤、第二焊盤以及第三焊盤以獲得對(duì)應(yīng)的電極。通過利用本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，可以提供適合于對(duì)波長較長的光子進(jìn)行探測(cè)的裝置。?? |
