一種改善小角晶界缺陷的新型引晶方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202210538760.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN114672874A | 公開(公告)日 | 2022-06-28 |
申請公布號 | CN114672874A | 申請公布日 | 2022-06-28 |
分類號 | C30B15/10(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 陳娟;周志鵬;馬占東;蘇波;周小淵;溫洋;賀俊杰;董長海 | 申請(專利權(quán))人 | 寧夏中晶半導(dǎo)體材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 寧波海曙甬睿專利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | - |
地址 | 755100寧夏回族自治區(qū)中衛(wèi)市中寧縣新堡鎮(zhèn)團(tuán)結(jié)南路 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及小角晶界技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種改善小角晶界缺陷的新型引晶方法,包括整個(gè)引晶過程有三次縮徑過程,為非連續(xù)縮徑過程,所述第一次縮徑過程拉速調(diào)控放葫蘆狀結(jié)節(jié),經(jīng)第二次縮徑過程達(dá)到縮徑目標(biāo)直徑,拉速調(diào)控實(shí)現(xiàn)第二次葫蘆晶結(jié)節(jié)。該改善小角晶界缺陷的新型引晶方法,在使用CZ法拉制重?fù)脚鹁蚬鑶尉н^程中,因摻雜濃度影響及拉制工藝限制,小角晶界缺陷成為行業(yè)難題,在減少過冷度的基礎(chǔ)上改進(jìn)引晶方法,固化拉晶工藝,突破小角晶界缺陷障礙,引晶方式采用葫蘆晶有效的排除籽晶內(nèi)部缺陷,保障晶體制成過程中原子有序排列,且在整個(gè)制成過程中提拉速度需平穩(wěn)緩慢,頻繁波動(dòng)亦會(huì)影響固液界面翻轉(zhuǎn)位錯(cuò)增殖進(jìn)而產(chǎn)生小角晶界。 |
