一種利用腐蝕方法及微觀檢測確定單晶硅晶線的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810901846.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109270082B 公開（公告）日 2021-05-11
申請公布號 CN109270082B 申請公布日 2021-05-11
分類號 G01N21/95 分類 測量；測試;
發(fā)明人 沙彥文;董長海;柯小龍;周小淵;郝艷玲;陳鋒;蘇波 申請（專利權(quán)）人 寧夏中晶半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 銀川長征知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 代理人 馬長增;姚源
地址 755100 寧夏回族自治區(qū)中衛(wèi)市中寧縣新堡鎮(zhèn)團結(jié)南路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種利用腐蝕方法及微觀檢測確定單晶硅晶線的方法,通過可控的腐蝕過程，利用特定腐蝕液擇優(yōu)腐蝕樣片，使得單晶表面出現(xiàn)凹坑，腐蝕出特定的微缺陷形態(tài)；然后通過顯微鏡檢測樣片，確定單晶樣片的特定微觀缺陷形態(tài)，根據(jù)單晶樣片的缺陷形態(tài)確定和標(biāo)記對應(yīng)的宏觀晶線位置。有益效果在于：工藝過程簡單，用時短，操作過程要求低；單晶硅樣片缺陷形態(tài)準(zhǔn)確度高，確定的晶線誤差??；無需其他大型高端設(shè)備，實施成本低；單晶硅樣片的引用，不會對原單晶硅棒產(chǎn)生破壞，適合大規(guī)模生產(chǎn)需求。