一種增強超高頻RFID標簽反射功率的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811283580.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109447223B 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN109447223B 申請公布日 2021-09-14
分類號 G06K19/077 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 沈紅偉 申請（專利權(quán)）人 華大恒芯科技有限公司
代理機構(gòu) 北京元本知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 黎昌莉
地址 610015 中國（四川）自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)天府五街200號4號樓B座1至3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種增強標簽反射功率的方法，包括確定標簽芯片的吸收狀態(tài)阻抗值Zabsorb；設(shè)定天線阻抗Zant＝Zabsorb*，其中Zabsorb*是標簽芯片的吸收狀態(tài)阻抗值Zabsorb的共軛阻抗，改變芯片調(diào)制電路阻抗，使得反射功率Pre達到第一值；從而確定標簽芯片的反射狀態(tài)阻抗值Zreflect；將天線阻抗Zant設(shè)定為最大值Zant_max，使得反射功率Pre達到最大反射功率；在天線阻抗Zant＝Zabsorb*的情況下，計算靈敏度損失和反射系數(shù)差絕對值；在天線阻抗Zant＝Zant_max的情況下，計算靈敏度損失和反射系數(shù)差絕對值；以及在最大反射功率和最小靈敏度損失值之間進行折中，從而確定標簽芯片的反射功率。