一種GaAs晶圓切割液
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011598241.2 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN112708495A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-04-27 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN112708495A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-27 |
分類號(hào) | C10M169/04 | 分類 | 石油、煤氣及煉焦工業(yè);含一氧化碳的工業(yè)氣體;燃料;潤(rùn)滑劑;泥煤; |
發(fā)明人 | 侯軍;褚雨露 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇奧首材料科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 大連星海專利事務(wù)所有限公司 | 代理人 | 楊翠翠 |
地址 | 116000 遼寧省大連市高新區(qū)高能街125號(hào)云計(jì)算中心 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種GaAs晶圓切割液,屬于光電子器件的表面精密加工領(lǐng)域。該切割液包括低聚皂化合物、潤(rùn)濕劑、分散劑、螯合劑、增溶劑、抑菌劑與酸堿調(diào)節(jié)劑,其中低聚皂化合物在溶液中電離形成負(fù)電荷基團(tuán),具有類似表面活性劑的兩親性結(jié)構(gòu),使其能夠在晶圓表面形成定向排列的吸附層,其帶有負(fù)電荷的基團(tuán)朝外,與帶有負(fù)電荷的硅碎屑之間形成斥力;從而阻擋硅碎屑與晶圓表面直接接觸,避免了硅碎屑對(duì)晶圓造成污染。 |
