一種晶圓級封裝用鈦蝕刻液

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011527044.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112725803A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112725803A 申請公布日 2021-04-30
分類號 C23F1/38 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 侯軍;武文東 申請（專利權(quán)）人 江蘇奧首材料科技有限公司
代理機構(gòu) 大連星海專利事務(wù)所有限公司 代理人 楊翠翠
地址 116000 遼寧省大連市高新區(qū)高能街125號云計算中心
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種晶圓級封裝用鈦蝕刻液，其屬于蝕刻液的技術(shù)領(lǐng)域。該蝕刻液包括堿、硫酸鹽、氨基酸共聚物、烷基糖苷表面活性劑、有機膦系化合物、過氧化氫以及水。鈦蝕刻液中氨基酸共聚物屬多氨基、多羧基、多羥基的大分子聚合物，具有優(yōu)秀的絡(luò)合、吸附、分散等性能。良好的金屬離子絡(luò)合特性能夠?qū)⑽g刻液體系中的金屬離子掩蔽，降低金屬離子對過氧化氫的分解促進作用，從而提升蝕刻液體系的穩(wěn)定性，延長蝕刻液壽命。不僅降低了金屬的腐蝕，而且減少了側(cè)蝕，將臨界尺寸損失（CD?loss）控制在了200nm以內(nèi)，為晶圓級封裝領(lǐng)域中超精細線路的制備提供了有效的技術(shù)支持。