采用激光選區(qū)燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201610496893.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN106187195B | 公開(公告)日 | 2018-11-30 |
申請公布號 | CN106187195B | 申請公布日 | 2018-11-30 |
分類號 | C04B35/565;C04B35/64 | 分類 | 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕; |
發(fā)明人 | 劉潔;付旻慧;劉凱;史玉升;王君昆;宋軍;曹平 | 申請(專利權)人 | 北京九鼎通信設備有限公司 |
代理機構 | 華中科技大學專利中心 | 代理人 | 梁鵬 |
地址 | 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)珞喻路1037號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種采用激光選區(qū)燒結工藝制備碳化硅陶瓷件的方法,包括以下步驟:按照預定質(zhì)量比稱取碳粉、碳化硅粉末、粘結劑及固化劑倒入球磨罐內(nèi),并進行球磨以得到粘接劑?碳化硅混合粉末;采用計算機對待制備的零件進行三維數(shù)字建模,并將三維數(shù)字模型信息輸入到激光選區(qū)燒結成型機,以所述粘接劑?碳化硅混合粉末為原料,采用激光選區(qū)燒結快速成形工藝進行粉末燒結成型,以得到所述零件的碳化硅素坯;對所述碳化硅素坯進行加熱固化;將固化后的所述碳化硅素坯放置于由Ar保護的中溫管式燒結爐中進行碳化處理,以得到多孔碳化硅坯件;將所述多孔碳化硅胚件在真空下進行熔滲燒結處理,以得到致密的碳化硅陶瓷件。 |
