一種具有隔離保護(hù)環(huán)的無背電極光電探測器陣列結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921424114.3 申請日 -
公開（公告）號 CN210349838U 公開（公告）日 2020-04-17
申請公布號 CN210349838U 申請公布日 2020-04-17
分類號 H01L27/144;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董自勇;盛振;汪斌;李文剛 申請（專利權(quán)）人 江蘇尚飛光電科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京權(quán)智天下知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 江蘇尚飛光電科技股份有限公司
地址 226017 江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)江成路1088號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種具有隔離保護(hù)環(huán)的無背電極光電探測器陣列結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體硅襯底、P+型隔離槽和N+摻雜區(qū)；所述P+型隔離槽設(shè)置在半導(dǎo)體硅襯底的正面；所述N+摻雜區(qū)設(shè)置在半導(dǎo)體硅襯底的正面和背面；所述半導(dǎo)體硅襯底正面的P+型隔離槽和N+摻雜區(qū)交錯間隔設(shè)置；所述P+型隔離槽上端設(shè)有電極陽極；所述半導(dǎo)體硅襯底正面的N+摻雜區(qū)上設(shè)有電極陰極；所述電極陰極處采用N+/P+/N+隔離保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)；所述N+/P+/N+隔離保護(hù)環(huán)通過將P+型隔離槽增加設(shè)置在N+摻雜區(qū)中間組合而成；所述半導(dǎo)體硅襯底正面和背面還設(shè)有增透膜；所述電極陰極和電極陽極均設(shè)置在同一側(cè)；本實用新型符合探測器器件輕薄化發(fā)展要求，降低生產(chǎn)成本，有利于載流子收集和減小串?dāng)_。