一種采用TSV技術(shù)的無(wú)背電極光電探測(cè)器陣列結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201921425750.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN210349839U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-04-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN210349839U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-04-17 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/144;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 董自勇;盛振;汪斌;李文剛 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 江蘇尚飛光電科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京權(quán)智天下知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 江蘇尚飛光電科技股份有限公司 |
| 地址 | 226017 江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)江成路1088號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種采用TSV技術(shù)的無(wú)背電極光電探測(cè)器陣列結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體硅襯底、P+型隔離槽和N+摻雜區(qū)；所述P+型隔離槽設(shè)置在半導(dǎo)體硅襯底的正面；所述N+摻雜區(qū)設(shè)置在半導(dǎo)體硅襯底的正面和背面；所述半導(dǎo)體硅襯底正面的P+型隔離槽和N+摻雜區(qū)交錯(cuò)間隔設(shè)置；所述半導(dǎo)體硅襯底正面的N+摻雜區(qū)上設(shè)有電極陰極；所述P+型隔離槽上端設(shè)有電極陽(yáng)極；所述半導(dǎo)體硅襯底正面和背面還設(shè)有增透膜；所述電極陰極和電極陽(yáng)極均設(shè)置在同一側(cè)；本實(shí)用新型通過(guò)將電極設(shè)置在同一側(cè)，符合探測(cè)器器件輕薄化發(fā)展要求，降低生產(chǎn)成本，將半導(dǎo)體硅襯底正面與背面的N+摻雜區(qū)采用TSV技術(shù)，實(shí)現(xiàn)正反面N+摻雜區(qū)的連通，有利于載流子收集和減小串?dāng)_。 |
