一種采用TSV技術的無背電極光電探測器陣列結構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910808012.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110518026A 公開（公告）日 2019-11-29
申請公布號 CN110518026A 申請公布日 2019-11-29
分類號 H01L27/144;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董自勇;盛振;汪斌;李文剛 申請（專利權）人 江蘇尚飛光電科技股份有限公司
代理機構 北京權智天下知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 王新愛
地址 226017 江蘇省南通市蘇通科技產業(yè)園區(qū)江成路1088號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種采用TSV技術的無背電極光電探測器陣列結構及其制備方法，包括半導體硅襯底、P+型隔離槽和N+摻雜區(qū)；所述P+型隔離槽設置在半導體硅襯底的正面；所述N+摻雜區(qū)設置在半導體硅襯底的正面和背面；所述半導體硅襯底正面的P+型隔離槽和N+摻雜區(qū)交錯間隔設置；所述半導體硅襯底正面的N+摻雜區(qū)上設有電極陰極；所述P+型隔離槽上端設有電極陽極；所述半導體硅襯底正面和背面還設有增透膜；所述電極陰極和電極陽極均設置在同一側；本發(fā)明通過將電極設置在同一側，符合探測器器件輕薄化發(fā)展要求，降低生產成本，將半導體硅襯底正面與背面的N+摻雜區(qū)采用TSV技術，實現正反面N+摻雜區(qū)的連通，有利于載流子收集和減小串擾。