基于N型硅片的黃銅礦類半導(dǎo)體薄膜異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910183865.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101621084B 公開（公告）日 2011-02-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN101621084B 申請(qǐng)公布日 2011-02-16
分類號(hào) H01L31/042(2006.01)I;H01L31/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳堅(jiān);王栩生;章靈軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 常熟阿特斯太陽(yáng)能電力有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 蘇州阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司;常熟阿特斯陽(yáng)光電力科技有限公司;阿特斯光伏電力(洛陽(yáng))有限公司;阿特斯光伏電子(常熟)有限公司;阿特斯太陽(yáng)能光電(蘇州)有限公司;阿特斯光伏科技(蘇州)有限公司;常熟阿特斯太陽(yáng)能電力有限公司;阿特斯光伏電力（洛陽(yáng)）有限公司;阿特斯光伏電子（常熟）有限公司;阿特斯太陽(yáng)能光電（蘇州）有限公司;阿特斯光伏科技（蘇州）有限公司
地址 215129 江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)鹿山路199號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于N型硅片的黃銅礦類半導(dǎo)體薄膜異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，包括依次疊層結(jié)合的受光面電極、透明導(dǎo)電層、P型黃銅礦半導(dǎo)體薄膜、N型晶體硅、N+背表面場(chǎng)和背金屬電極，形成PNN+的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的太陽(yáng)電池具有更好的光譜響應(yīng)，尤其是在紫外和可見光波段，從而可以提升短路電流；且在正面可形成梯度帶隙，類似于多結(jié)的堆疊效應(yīng)，大幅度地提升開路電壓和填充因子；最終得到的太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)化效率在22％以上。