一種單片硅基微壓傳感器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201820366252.X 申請日 -
公開（公告）號 CN207991720U 公開（公告）日 2018-10-19
申請公布號 CN207991720U 申請公布日 2018-10-19
分類號 G01L1/22 分類 測量；測試;
發(fā)明人 沈紹群;羅小勇;阮炳權(quán) 申請（專利權(quán)）人 廣東和宇傳感器有限公司
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標事務所有限公司 代理人 廣東和宇傳感器有限公司;上海旦宇傳感器科技有限公司
地址 529100 廣東省江門市新會區(qū)會城西門路圭峰高科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種單片硅基微壓傳感器，包括硅片主體，硅片主體包括相互鍵合于一起的硅基片和彈性硅膜，硅基片和彈性硅膜之間設置有第一二氧化硅層，硅基片之中設置有腐蝕坑，腐蝕坑之中設置有背島結(jié)構(gòu)，背島結(jié)構(gòu)包括用于穩(wěn)定測量的背島和包裹背島設置的腐蝕自終止結(jié)構(gòu)。由于背島被腐蝕自終止結(jié)構(gòu)所包裹，因此只需調(diào)節(jié)腐蝕自終止結(jié)構(gòu)所包裹的范圍大小，即可靈活準確設置背島的大小，從而能夠使背島不會受到硅基片的厚度限制，從而能夠提高產(chǎn)出率、降低成本，還能夠克服大背島的自重效應，從而提高穩(wěn)定性，避免出現(xiàn)背島與玻璃鍵合而導致器件失效的問題，從而能夠形成厚度一致性好、靈敏度一致性好的彈性硅膜，從而適宜于大規(guī)模生產(chǎn)。