新型表壓傳感器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810263734.7 申請日 -
公開（公告）號 CN108545691A 公開（公告）日 2018-09-18
申請公布號 CN108545691A 申請公布日 2018-09-18
分類號 B81B3/00;B81C1/00;G01L9/06 分類 微觀結構技術〔7〕;
發(fā)明人 沈紹群;羅小勇;阮炳權 申請（專利權）人 廣東和宇傳感器有限公司
代理機構 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 代理人 廣東和宇傳感器有限公司;上海旦宇傳感器科技有限公司
地址 529100 廣東省江門市新會區(qū)會城西門路圭峰高科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型表壓傳感器及其制作方法，通過在硅基片之上層疊設置膜島結構，而膜島結構包括彈性硅膜和設置于彈性硅膜之上的島區(qū)，因此島區(qū)會處于硅片主體的表面，從而免去了傳統(tǒng)的設置于硅基片背面的大背島結構，使得島區(qū)不再受到硅基片的厚度限制，從而能夠提高產出率和降低成本；此外，由于新型表壓傳感器并不具有傳統(tǒng)的大背島結構，不僅能克服大背島的自重效應而提高穩(wěn)定性，并且還能避免出現(xiàn)大背島與玻璃鍵合而導致器件失效的問題。