一種雙平衡FET混頻器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911007933.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110784179B | 公開(公告)日 | 2022-01-25 |
申請公布號 | CN110784179B | 申請公布日 | 2022-01-25 |
分類號 | H03D7/14(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
發(fā)明人 | 姚鴻飛 | 申請(專利權(quán))人 | 北京信芯科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京慧智興達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 葉以方 |
地址 | 100089北京市海淀區(qū)學(xué)院路35號世寧大廈14層1405-012 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了雙平衡FET混頻器,所述雙平衡FET混頻器包括FET環(huán)形混頻核心、射頻平面巴倫、本振平面巴倫和中頻平面巴倫,所述FET環(huán)形混頻核心由第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管相互連接而成,所述射頻平面巴倫、本振平面巴倫和中頻平面巴倫均采用MARCHAND巴倫,直流偏置電壓VG通過本振平面巴倫的耦合線引入到四個FET器件的柵級,四個FET器件的柵壓直流偏置電壓VG,通過調(diào)節(jié)直流偏置電壓VG來控制第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管的偏置狀態(tài)。 |
