一種雙平衡FET混頻器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911007933.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110784179B 公開（公告）日 2022-01-25
申請公布號 CN110784179B 申請公布日 2022-01-25
分類號 H03D7/14（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 姚鴻飛 申請（專利權(quán)）人 北京信芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京慧智興達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 葉以方
地址 100089北京市海淀區(qū)學(xué)院路35號世寧大廈14層1405-012
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了雙平衡FET混頻器，所述雙平衡FET混頻器包括FET環(huán)形混頻核心、射頻平面巴倫、本振平面巴倫和中頻平面巴倫，所述FET環(huán)形混頻核心由第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管相互連接而成，所述射頻平面巴倫、本振平面巴倫和中頻平面巴倫均采用MARCHAND巴倫，直流偏置電壓VG通過本振平面巴倫的耦合線引入到四個FET器件的柵級，四個FET器件的柵壓直流偏置電壓VG，通過調(diào)節(jié)直流偏置電壓VG來控制第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管的偏置狀態(tài)。