一種雙平衡FET混頻器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911007933.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110784179A 公開（公告）日 2020-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN110784179A 申請(qǐng)公布日 2020-02-11
分類號(hào) H03D7/14 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 姚鴻飛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京信芯科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 泉州匯智興業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張永
地址 100089 北京市海淀區(qū)學(xué)院路35號(hào)世寧大廈14層1405-012
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了雙平衡FET混頻器，所述雙平衡FET混頻器包括FET環(huán)形混頻核心、射頻平面巴倫、本振平面巴倫和中頻平面巴倫，所述FET環(huán)形混頻核心由第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管相互連接而成，所述射頻平面巴倫、本振平面巴倫和中頻平面巴倫均采用MARCHAND巴倫，直流偏置電壓VG通過(guò)本振平面巴倫的耦合線引入到四個(gè)FET器件的柵級(jí)，四個(gè)FET器件的柵壓直流偏置電壓VG，通過(guò)調(diào)節(jié)直流偏置電壓VG來(lái)控制第一FET管、第二FET管、第三FET管和第四FET管的偏置狀態(tài)。