半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010752555.7 申請日 -
公開（公告）號 CN114068701A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114068701A 申請公布日 2022-02-18
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡巧明;張云香;金美晨 申請（專利權(quán)）人 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
代理機構(gòu) 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 高靜
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號9幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底，基底中形成有阱區(qū)，所述基底包括：用于形成溝道區(qū)的預(yù)設(shè)區(qū)域；漂移區(qū)，沿溝道區(qū)長度的方向，位于預(yù)設(shè)區(qū)域兩側(cè)且與預(yù)設(shè)區(qū)域相鄰接；環(huán)繞所述預(yù)設(shè)區(qū)域和漂移區(qū)的阱區(qū)接觸結(jié)構(gòu)，沿所述溝道區(qū)長度的方向，所述阱區(qū)接觸結(jié)構(gòu)與相鄰的漂移區(qū)之間具有第一間隔；包覆所述阱區(qū)接觸結(jié)構(gòu)的阱區(qū)連接區(qū)，沿所述溝道區(qū)長度的方向，所述阱區(qū)連接區(qū)與相鄰的漂移區(qū)之間具有第二間隔，所述第二間隔比第一間隔小0nm至300nm；柵極結(jié)構(gòu)，位于所述預(yù)設(shè)區(qū)域上且延伸覆蓋部分的漂移區(qū)；源漏摻雜區(qū)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)露出的漂移區(qū)中。本發(fā)明實施例有利于提高LDMOS器件的性能。