半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010492484.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113764504A 公開（公告）日 2021-12-07
申請公布號 CN113764504A 申請公布日 2021-12-07
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡巧明;張?jiān)葡?魏蘭英 申請（專利權(quán)）人 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市一法律師事務(wù)所 代理人 劉榮娟
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號9幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底中形成有隔離結(jié)構(gòu)；在所述半導(dǎo)體襯底和隔離結(jié)構(gòu)表面形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括形成于所述半導(dǎo)體襯底和隔離結(jié)構(gòu)表面的柵介質(zhì)層以及形成于所述柵介質(zhì)層表面的柵極層；在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)形成側(cè)墻；去除位于所述隔離結(jié)構(gòu)上的部分柵極層，露出部分柵介質(zhì)層的表面，之后在對應(yīng)位置填入金屬柵。本申請?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法可以解決現(xiàn)有器件出現(xiàn)的漏電與失配問題，大幅度提高半導(dǎo)體制造工藝的容錯(cuò)率。