半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010928090.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114156334A 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN114156334A 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/822（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡巧明;喬歡 申請（專利權(quán)）人 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
代理機構(gòu) 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 高靜
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號9幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一區(qū)域和用于形成第二器件的第二區(qū)域，第一器件大于第二器件的工作電壓，基底上形成有沿第一方向延伸、且由下而上依次堆疊的高k柵介質(zhì)層、金屬阻擋層和多晶硅柵極，多晶硅柵極兩側(cè)基底中形成有源漏摻雜區(qū)；在多晶硅柵極側(cè)部的基底上形成層間介質(zhì)層；在第一區(qū)域的多晶硅柵極中形成第一溝槽，包括沿第一方向延伸的豎向溝槽、以及與豎向溝槽的端部相連通的橫向溝槽，橫向溝槽沿第二方向延伸；去除第二區(qū)域的多晶硅柵極，在層間介質(zhì)層中形成柵極開口；在第一溝槽和柵極開口中形成金屬柵極。本發(fā)明降低了第一器件的柵極電阻，從而提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。