半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010850996.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114078770A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114078770A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/8238（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蔡巧明;張?jiān)葡?魏蘭英 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海知錦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高靜 |
| 地址 | 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)文昌大道18號(hào)9幢 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底，用于形成第一型摻雜晶體管，包括多個(gè)分立的有源區(qū)以及位于所述有源區(qū)之間的隔離區(qū)；在基底上形成位于所述有源區(qū)和隔離區(qū)的多晶硅柵極；去除位于所述隔離區(qū)的多晶硅柵極，在所述多晶硅柵極中形成開(kāi)口；在所述開(kāi)口中填充金屬柵極，所述金屬柵極包括位于所述開(kāi)口底部的功函數(shù)層，所述功函數(shù)層的材料包括第二型功函數(shù)金屬，所述第二型與第一型不同。本發(fā)明實(shí)施例有利于改善漏電流的問(wèn)題、提升器件的匹配度。 |
