半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010519750.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113782426A 公開（公告）日 2021-12-10
申請公布號 CN113782426A 申請公布日 2021-12-10
分類號 H01L21/28（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡巧明;張云香 申請（專利權(quán)）人 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
代理機構(gòu) 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 高靜
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號9幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域；形成位于第一區(qū)域基底上的多晶硅柵極、位于第二區(qū)域基底上的金屬柵極、以及位于多晶硅柵極和金屬柵極側(cè)部基底上的層間介質(zhì)層；在第二區(qū)域的層間介質(zhì)層上形成覆蓋金屬柵極的保護層，保護層露出多晶硅柵極；在多晶硅柵極的頂面形成柵極硅化物層。柵極硅化物層形成在多晶硅柵極的頂面，有利于增加柵極接觸孔插塞與多晶硅柵極之間的粘附性以及降低柵極接觸孔插塞與多晶硅柵極之間的接觸電阻；保護層能夠?qū)饘贃艠O起到保護的作用，有利于降低金屬柵極受損的幾率以及減小形成柵極硅化物層的過程對金屬柵極的影響。