半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010492511.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113764505A 公開（公告）日 2021-12-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113764505A 申請(qǐng)公布日 2021-12-07
分類號(hào) H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡巧明;張?jiān)葡?/td> 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市一法律師事務(wù)所 代理人 劉榮娟
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號(hào)9幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域以及隔離所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)包括與所述第一區(qū)域相鄰的第一隔離部及與所述第二區(qū)域相鄰的第二隔離部，所述第一隔離部的頂面與所述第二隔離部的頂面之間通過斜面連接；殘余介質(zhì)層，位于部分所述第一隔離部、部分第二隔離部以及所述斜面的表面；阻擋層，覆蓋所述殘余介質(zhì)層的表面；側(cè)墻，覆蓋所述阻擋層及殘余介質(zhì)層的側(cè)壁。本申請(qǐng)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能夠解決殘余介質(zhì)層的金屬污染問題。