半導體器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010492607.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113764506A 公開（公告）日 2021-12-07
申請公布號 CN113764506A 申請公布日 2021-12-07
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/82（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡巧明;張云香 申請（專利權）人 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
代理機構 北京市一法律師事務所 代理人 劉榮娟
地址 100176北京市大興區(qū)經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)文昌大道18號9幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其形成方法，所述半導體器件的形成方法包括：提供半導體襯底；去除所述第一柵極結構的第一阻擋層和部分柵極層，使所述第一區(qū)域的柵極層頂面低于所述第二區(qū)域的柵極層頂面；在所述第二柵極結構兩側的半導體襯底中形成應力外延層；在所述第一區(qū)域的柵極層表面和所述應力外延層表面形成金屬硅化物層。本申請?zhí)峁┑陌雽w器件及其形成方法，通過在研磨工藝之前將第一區(qū)域的柵極層高度降低，使第一區(qū)域柵極層的高度低于第二區(qū)域柵極層的高度，保證在后續(xù)的研磨工藝中，不會研磨到第一區(qū)域的金屬硅化物層，從而避免研磨工藝行為發(fā)生異常。