半導體結構及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010615707.9 申請日 -
公開（公告）號 CN113871410A 公開（公告）日 2021-12-31
申請公布號 CN113871410A 申請公布日 2021-12-31
分類號 H01L27/24（2006.01）I;H01L45/00（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡巧明;張燁;王哲 申請（專利權）人 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
代理機構 上海知錦知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 高靜
地址 100176北京市大興區(qū)北京經濟技術開發(fā)區(qū)文昌大道18號9幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供基底，包括存儲器區(qū)，基底中形成有下層金屬互連結構；在存儲器區(qū)的基底上形成多個阻變存儲單元結構、以及覆蓋阻變存儲單元結構側壁的第一介電層，阻變存儲單元結構底部與下層金屬互連結構相連；在存儲器區(qū)中，在相鄰阻變存儲單元結構之間的第一介電層上形成刻蝕阻擋層；形成覆蓋阻變存儲單元結構、刻蝕阻擋層和第一介電層的第二介電層；刻蝕存儲器區(qū)的第二介電層，形成底部露出多個阻變存儲單元結構和刻蝕阻擋的互連槽；在互連槽中形成上層金屬互連結構。本發(fā)明利用刻蝕阻擋層對位于其下方的第一介電層起到保護作用，從而提高半導體結構的性能。