半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010613547.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113871409A 公開（公告）日 2021-12-31
申請公布號 CN113871409A 申請公布日 2021-12-31
分類號 H01L27/24（2006.01）I;H01L45/00（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡巧明;張燁;王哲 申請（專利權(quán)）人 中芯北方集成電路制造（北京）有限公司
代理機構(gòu) 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 高靜
地址 100176北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道18號9幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供基底，包括存儲器區(qū)，基底中有前層金屬互連結(jié)構(gòu)，基底表面露出前層金屬互連結(jié)構(gòu)，存儲器區(qū)基底上形成有阻變存儲單元結(jié)構(gòu)，底部與前層金屬互連結(jié)構(gòu)相連，基底上形成有覆蓋阻變存儲單元結(jié)構(gòu)的第一介電層；在阻變存儲單元結(jié)構(gòu)頂部的第一介電層中形成第一通孔互連結(jié)構(gòu)；在第一介電層上形成第二介電層；在阻變存儲單元結(jié)構(gòu)頂部的第二介電層中形成電連接第一通孔互連結(jié)構(gòu)的第一金屬互連結(jié)構(gòu)，第一金屬互連結(jié)構(gòu)包括第一金屬互連線；在存儲器區(qū)中，第一金屬互連線連接多個第一通孔互連結(jié)構(gòu)。本發(fā)明降低第一金屬互連線與前層金屬互連結(jié)構(gòu)發(fā)生短路、或者相鄰阻變存儲單元結(jié)構(gòu)通過第一金屬互連線發(fā)生短路的概率。