一種基于銻快門開關(guān)的無(wú)失配II類超晶格結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202020223057.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN211208457U 公開（公告）日 2020-08-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN211208457U 申請(qǐng)公布日 2020-08-07
分類號(hào) H01L31/0352;H01L31/18;C23C14/02;C23C14/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 徐志成;朱藝紅;梁釗銘;陳凱豪;陳建新 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中科愛畢賽思（常州）光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海滬慧律師事務(wù)所 代理人 郭英
地址 200083 上海市虹口區(qū)玉田路500號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本專利公開了一種基于銻快門開關(guān)的無(wú)失配II類超晶格結(jié)構(gòu)。其單周期結(jié)構(gòu)包括GaSb層，InAs層和InAsSb界面層三層結(jié)構(gòu)。其制備方法是在II類超晶格周期性結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)過程中，GaSb生長(zhǎng)后直接生長(zhǎng)InAs層，InAs生長(zhǎng)后，打開Sb快門，使得Sb和InAs層中的As進(jìn)行元素置換，從而形成InAsSb界面層。其特點(diǎn)在于：由于取消了InSb界面層的直接生長(zhǎng)，僅在InAs生長(zhǎng)后通過引入Sb浸潤(rùn)形成InAsSb界面層，既滿足了應(yīng)力補(bǔ)償?shù)男枨?，又?jiǎn)化了界面制備工藝難度，此外，避免了大失配InSb界面直接生長(zhǎng)時(shí)引入的島裝結(jié)構(gòu)缺陷，提高了材料性能。