一種基于銻快門開關(guān)的無失配II類超晶格結(jié)構(gòu)及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010126548.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111223948A | 公開（公告）日 | 2020-06-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111223948A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-06-02 |
| 分類號(hào) | H01L31/0352(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 徐志成;朱藝紅;梁釗銘;陳凱豪;陳建新 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 常州中科德材科技發(fā)展有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海滬慧律師事務(wù)所 | 代理人 | 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 |
| 地址 | 213000 江蘇省常州市新北區(qū)華山中路23號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種基于銻快門開關(guān)的無失配II類超晶格結(jié)構(gòu)及制備方法。其單周期結(jié)構(gòu)包括GaSb層，InAs層和InAsSb界面層三層結(jié)構(gòu)。其制備方法是在II類超晶格周期性結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)過程中，GaSb生長(zhǎng)后直接生長(zhǎng)InAs層，InAs生長(zhǎng)后，打開Sb快門，使得Sb和InAs層中的As進(jìn)行元素置換，從而形成InAsSb界面層。其特點(diǎn)在于：由于取消了InSb界面層的直接生長(zhǎng)，僅在InAs生長(zhǎng)后通過引入Sb浸潤(rùn)形成InAsSb界面層，既滿足了應(yīng)力補(bǔ)償?shù)男枨?，又?jiǎn)化了界面制備工藝難度，此外，避免了大失配InSb界面直接生長(zhǎng)時(shí)引入的島裝結(jié)構(gòu)缺陷，提高了材料性能。?? |
