稀土永磁體表面真空鍍膜設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911365622.3 申請日 -
公開（公告）號 CN110965036B 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN110965036B 申請公布日 2021-09-14
分類號 C23C14/35;C23C14/14 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉順鋼;張浙軍;康振東;顧建文;曹磊;王海平 申請（專利權(quán)）人 沈陽廣泰真空科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 太原科衛(wèi)專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱源
地址 110172 遼寧省沈陽市東陵區(qū)同城路599號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及稀土永磁體表面物理氣相沉積稀土金屬材料的設(shè)備，具體為稀土永磁體表面真空鍍膜設(shè)備。解決現(xiàn)有稀土永磁體真空鍍膜設(shè)備存在的沉積速率較低、電耗高以及靶材利用率較低的問題。該設(shè)備包括殼體，陰極板和設(shè)置于陰極板上的稀土金屬靶材，靶材背部設(shè)置有磁性材料；靶材由多個分段靶材等距或不等距間隔排列而成且整體呈條形長方體狀，每個分段靶材的長度L1是整體靶材長度L的2%－15%，相鄰分段靶材之間的間隔L2是分段靶材長度L1的30%－50%；靶材背部設(shè)置的磁性材料形成的磁場強(qiáng)度為80GS～180GS；殼體內(nèi)氬氣的充入量使殼體內(nèi)真空度保持在0.8Pa～3Pa。本發(fā)明提高了靶材利用率和沉積速率，電耗大幅度降低。