一種GaAs襯底mini-LED芯片及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111189547.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113644178A 公開（公告）日 2021-11-12
申請公布號 CN113644178A 申請公布日 2021-11-12
分類號 H01L33/38（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/10（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/20（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王克來;徐培強;熊珊;潘彬;王向武 申請（專利權(quán)）人 南昌凱捷半導(dǎo)體科技有限公司
代理機構(gòu) 南昌金軒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張震東
地址 330000江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)黃堂西街199號8#廠房204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體LED技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種GaAs襯底mini?LED芯片及制作方法。芯片包括由下至上依次設(shè)置的絕緣層、GaAs襯底層、N型半導(dǎo)體層、量子阱層和P型半導(dǎo)體層；所述絕緣層遠(yuǎn)離所述GaAs襯底層一側(cè)的表面設(shè)置有N電極和P電極；所述絕緣層遠(yuǎn)離所述GaAs襯底層一側(cè)的表面設(shè)置有貫穿所述絕緣層、所述GaAs襯底層、所述N型半導(dǎo)體層和所述量子阱層的通孔，所述通孔內(nèi)填充金屬材料使得所述P電極和所述P型半導(dǎo)體層電連接。由于在制作mini?LED過程中不需要將外延片與其他襯底鍵合然后將GaAs襯底去除，極大的簡化了芯片制作流程，提高了產(chǎn)品良率，降低了生產(chǎn)成本。