一種多結(jié)太陽(yáng)能電池及制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110849429.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113594286A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-11-02 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113594286A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-02 |
分類號(hào) | H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0735(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李俊承;白繼鋒;徐培強(qiáng);潘彬;王向武;熊珊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 南昌凱捷半導(dǎo)體科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南昌金軒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 夏軍 |
地址 | 330000江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)黃堂西街199號(hào)8#廠房204室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提出一種多結(jié)太陽(yáng)能電池及制造方法,包括:Ge基板,作為基電池;GaAs光柵結(jié)構(gòu),設(shè)置于Ge基板的一端,是通過(guò)全息曝光形成的反射鏡結(jié)構(gòu);InGaAs鋪墊層,覆蓋GaAs光柵結(jié)構(gòu);InGaAs中電池,設(shè)置于InGaAs鋪墊層另一端;InGaP頂電池,設(shè)置于InGaAs中電池另一端;電極,設(shè)置于InGaP頂電池的另一端;減反射膜,覆蓋于InGaP頂電池的電極所在端面,且覆蓋著電極之外的區(qū)域;其中,InGaAs鋪墊層與InGaAs中電池的連接,以及InGaAs中電池與InGaP頂電池的連接均通過(guò)隧穿結(jié)進(jìn)行連接。 |
