一種反極性LED芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120571149.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214625085U 公開（公告）日 2021-11-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN214625085U 申請(qǐng)公布日 2021-11-05
分類號(hào) H01L33/62（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王克來(lái);徐培強(qiáng);熊珊;潘彬;王向武 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南昌凱捷半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南昌金軒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李楠
地址 330000江西省南昌市臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)黃堂西街199號(hào)8#廠房204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種LED芯片，尤其涉及一種反極性LED芯片。一種反極性LED芯片，自下而上依次是P面電極、硅襯底、鍵合層、P?高反射膜層、P?GaP層、P?AlInP層、MQW有源層、N?AlInP層、N?AlGaInP層、N?GaAs層和N面電極，反極性LED芯片具有第一鍵合區(qū)和第二鍵合區(qū)，通過(guò)雙鍵合區(qū)共鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)襯底轉(zhuǎn)移，不需要在SiO2介質(zhì)膜上制作精度要求如此之高的孔洞，極大的簡(jiǎn)化了制作流程，降低了制作難度，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。雙鍵合區(qū)共鍵合技術(shù)在進(jìn)行襯底轉(zhuǎn)移時(shí)不需要用到貴金屬?金，降低了LED芯片的制作成本。