一種應用大馬士革工藝的mini/microLED芯片及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111575134.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113948618A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113948618A 申請公布日 2022-01-18
分類號 H01L33/00（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李俊承;趙敏博;談凱強;劉蘇杰;王克來;白繼鋒;熊珊;潘彬;王向武 申請（專利權）人 南昌凱捷半導體科技有限公司
代理機構 南昌金軒知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 石英
地址 330000江西省南昌市臨空經(jīng)濟區(qū)黃堂西街199號8#廠房204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及LED技術領域，具體涉及一種應用大馬士革工藝的mini/micro LED芯片及其制作方法，該制作方法包括以下步驟：沉積第一鈍化層、拋光、沉積SiNx腐蝕阻擋層、沉積第二鈍化層、蝕刻焊線電極圖形、焊盤電極制作、拋光表面電極、藍寶石減薄、最后拋光、隱形切割、劈裂，完成芯片制作。本發(fā)明采用大馬士革方法制作mini/micro LED的焊盤錫電極，無需進行金屬層的蝕刻，可制作厚電極，圖形精度高，同時可避免使用負膠剝離或在封裝端刷錫膏，提高工藝的穩(wěn)定性；采用磁控濺射種子層和電鍍相結合的方式，可避免使用金屬蒸鍍機，不存在污染蒸鍍機與維護的問題，制作成本低。