一種MEMS硅應(yīng)變片及其加工方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011579837.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112729629A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112729629A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-30 |
| 分類(lèi)號(hào) | G01L1/22;B81B3/00;B81C1/00 | 分類(lèi) | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 陳君杰;丁維培;何江濤;鄔若軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳安培龍科技股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 東莞市卓越超群知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李慧 |
| 地址 | 518100 廣東省深圳市龍崗區(qū)平湖街道平湖社區(qū)富民工業(yè)區(qū)富康路43號(hào)65號(hào)廠房二至四樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及傳感器領(lǐng)域，尤指一種MEMS硅應(yīng)變片及其加工方法。本技術(shù)方案通過(guò)用化學(xué)機(jī)械拋光工藝生產(chǎn)的硅片片厚度僅有10?50um，能很好的解決在制作柔性壓力傳感器時(shí)存在的芯片底層硅片過(guò)厚導(dǎo)致的傳感器芯片的靈敏度不足的問(wèn)題；而且在硅片表面設(shè)置有氮化硅保護(hù)層可以有效地保護(hù)硅片上的P型壓阻條。 |
