鑄錠單多晶用側(cè)壁改良涂層坩堝及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910895729.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112536200A | 公開（公告）日 | 2021-03-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112536200A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-23 |
| 分類號(hào) | C30B29/06(2006.01)I;B05D1/28(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I;B05D7/00(2006.01)I;B05D1/02(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I | 分類 | 一般噴射或霧化；對(duì)表面涂覆液體或其他流體的一般方法〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 李良良;鐘德京;黃蓉帥;黃福龍;周華 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 中材高新材料股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 郝傳鑫;熊永強(qiáng) |
| 地址 | 222000江蘇省連云港市東?？h開發(fā)區(qū)西區(qū)麒麟大道26號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供了鑄錠單多晶用側(cè)壁改良涂層坩堝的制備方法，包括提供坩堝本體，坩堝本體包括底座及由底座向上延伸的側(cè)壁；將氮化硅、硅溶膠和水混合形成第一混合液，將第一混合液滾涂在側(cè)壁的內(nèi)表面，形成第一氮化硅層，第一氮化硅層的表面粗糙度Ra小于20μm；將石英砂與水混合經(jīng)研磨形成石英漿料，石英漿料與硅溶膠和水混合形成混合漿料，將混合漿料噴涂在第一氮化硅層上，形成石英層，石英層完全覆蓋第一氮化硅層，石英層的表面粗糙度Ra為40μm?60μm；將氮化硅、硅溶膠和水混合形成第二混合液，將第二混合液噴涂在石英層上，形成第二氮化硅層，第二氮化硅層表面粗糙度Ra為60μm?80μm，得到鑄錠單多晶用側(cè)壁改良涂層坩堝。?? |
