正反向?qū)ΨQP型徑向變摻雜、類臺面負角造型結(jié)終端晶閘管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910219199.6 申請日 -
公開（公告）號 CN101931003A 公開（公告）日 2010-12-29
申請公布號 CN101931003A 申請公布日 2010-12-29
分類號 H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陸劍秋;王正鳴 申請（專利權(quán)）人 西安電力電子技術(shù)研究所有限公司
代理機構(gòu) 西安文盛專利代理有限公司 代理人 彭冬英
地址 710061 陜西省西安市朱雀大街94號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種正反向?qū)ΨQP型徑向變摻雜、類臺面負角造型結(jié)終端晶閘管，較高濃度P型摻雜層在低濃度P-型摻雜層上形成的高低結(jié)為非平行平面結(jié)，其結(jié)面產(chǎn)生彎曲變化避免較高濃度P型雜質(zhì)進入結(jié)終端區(qū)，正、反向結(jié)終端區(qū)邊緣為類臺面負角造型。正反向?qū)ΨQ的P型徑向變摻雜具有雙面減薄P-區(qū)的作用；正反向?qū)ΨQ的類臺面負角造型，具有減薄長基區(qū)、減小自身占用面積、增大陰極面積并使正反向耐壓對稱的作用。本發(fā)明同時具有正反向阻斷電壓對稱，長、短基區(qū)無附加厚度，陰極面積最大的特點。用相同電阻率及直徑的原始硅材料，本發(fā)明制造的晶閘管阻斷電壓最高、轉(zhuǎn)折電壓與芯片厚度之比最高、陰極面積最大。