一種Bypass開關(guān)偏置電壓產(chǎn)生電路
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210259807.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114721455A | 公開（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114721455A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-08 |
| 分類號(hào) | G05F1/56（2006.01）I | 分類 | 控制；調(diào)節(jié); |
| 發(fā)明人 | 項(xiàng)勇;戈澤宇;陳浪;陳力生 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州悉芯射頻微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 沈陽銘揚(yáng)聯(lián)創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215301江蘇省蘇州市昆山市昆山開發(fā)區(qū)慶豐西路669號(hào)2號(hào)房中天大廈智谷創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園A區(qū)4層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種Bypass開關(guān)偏置電壓產(chǎn)生電路。其中第一增強(qiáng)型FET晶體管的柵極與控制電壓和第二增強(qiáng)型FET晶體管柵極相連，第一增強(qiáng)型FET晶體管的源極接地，漏極與第二電阻相連。第二增強(qiáng)型FET晶體管的柵極與控制電壓和第一增強(qiáng)型FET晶體管的柵極相連，漏極與自身柵極相連，源極與第三電阻相連。第一電阻上端與電源電壓VDD相連，下端與偏置電壓相連。第二電阻上端與第三電阻和偏置電壓相連，下端與第一增強(qiáng)型FET晶體管的漏極相連。第三電阻的下端與第二電阻相連，上端與第二增強(qiáng)型FET晶體管的源極相連?？刂齐妷篤ctrl控制第一增強(qiáng)型FET晶體管的通斷，第二增強(qiáng)型FET晶體管和第三電阻組成單向電壓跟隨器。 |
