一種基于耦合器結構的毫米波開關及設計方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210069402.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114400423A 公開（公告）日 2022-04-26
申請公布號 CN114400423A 申請公布日 2022-04-26
分類號 H01P1/10（2006.01）I;H01P1/15（2006.01）I;H01P11/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 戈澤宇;陳浪;項勇;陳力生 申請（專利權）人 蘇州悉芯射頻微電子有限公司
代理機構 沈陽銘揚聯創(chuàng)知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 屈芳
地址 215301江蘇省蘇州市昆山開發(fā)區(qū)慶豐西路669號2號房中天大廈智谷創(chuàng)意產業(yè)園A區(qū)4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于耦合器結構的毫米波開關及設計方法，包括第一類SPST由第一耦合器和L?nMOS開關組成，第一端口與L?nMOS開關相連并接地，第二端口與ANT端相連，第三端口接地，第四端口與TX端相連。第一類對稱式SPDT由兩個第一類SPST對稱構成，傳輸時P1dB高，第二類SPST包括第二耦合器和L?nMOS開關，第一端口懸空，第二端口與ANT端相連，第三端口與L?nMOS開關相連并接地，第四端口與TX端相連。第二類對稱式SPDT由兩個第二類SPST對稱構成，隔離時功率承受能力高，隔離時可實現寬帶設計，第三類非對稱式SPDT由第一類SPST和第二類SPST構成，利用第一類SPST作為Tx以提高發(fā)射功率容量，利用第二類SPST作為Rx以提供高隔離的功率承受能力。