利用太赫茲成像檢測(cè)層狀絕緣材料內(nèi)部缺陷的裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201621179739.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN206132652U 公開(kāi)（公告）日 2017-04-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN206132652U 申請(qǐng)公布日 2017-04-26
分類號(hào) G01N21/88(2006.01)I;G01N21/3581(2014.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 張振偉;張存林 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 北京遠(yuǎn)大恒通科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 首都師范大學(xué);北京遠(yuǎn)大恒通科技發(fā)展有限公司
地址 100037 北京市海淀區(qū)西三環(huán)北路105號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種利用太赫茲成像檢測(cè)層狀絕緣材料內(nèi)部缺陷的裝置，該裝置用于在不損壞層狀絕緣材料的情況下對(duì)其內(nèi)部的缺陷進(jìn)行檢測(cè)。利用太赫茲成像檢測(cè)層狀絕緣材料內(nèi)部缺陷的裝置包括：太赫茲發(fā)射源、兩個(gè)透鏡、太赫茲探測(cè)器、二維掃描裝置和成像處理裝置，太赫茲發(fā)射源用于發(fā)射連續(xù)調(diào)頻太赫茲波，兩個(gè)透鏡用于將太赫茲發(fā)射源發(fā)射的太赫茲波會(huì)聚至待測(cè)樣品的表面，在待測(cè)樣品表面反射后的太赫茲波再次經(jīng)過(guò)兩個(gè)透鏡后由太赫茲探測(cè)器接收并與其內(nèi)部的本振信號(hào)混頻后得到一中頻信號(hào)，二維掃描裝置控制太赫茲發(fā)射源在距離待測(cè)樣品表面的一設(shè)定距離處對(duì)待測(cè)樣品的表面進(jìn)行掃描。