利用太赫茲成像檢測層狀絕緣材料內(nèi)部缺陷的方法和裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610955147.5 申請日 -
公開（公告）號 CN106525862A 公開（公告）日 2017-03-22
申請公布號 CN106525862A 申請公布日 2017-03-22
分類號 G01N21/88(2006.01)I;G01N21/3581(2014.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 張振偉;張存林 申請（專利權(quán)）人 北京遠(yuǎn)大恒通科技發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 首都師范大學(xué);北京遠(yuǎn)大恒通科技發(fā)展有限公司
地址 100037 北京市海淀區(qū)西三環(huán)北路105號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種利用太赫茲成像檢測層狀絕緣材料內(nèi)部缺陷的裝置和一種利用太赫茲成像檢測層狀絕緣材料內(nèi)部缺陷的方法，該裝置和方法用于在不損壞層狀絕緣材料的情況下對其內(nèi)部的缺陷進(jìn)行檢測。利用太赫茲成像檢測層狀絕緣材料內(nèi)部缺陷的裝置包括：太赫茲發(fā)射源、兩個透鏡、太赫茲探測器、二維掃描裝置和成像處理裝置，太赫茲發(fā)射源用于發(fā)射連續(xù)調(diào)頻太赫茲波，兩個透鏡用于將太赫茲發(fā)射源發(fā)射的太赫茲波會聚至待測樣品的表面，在待測樣品表面反射后的太赫茲波再次經(jīng)過兩個透鏡后由太赫茲探測器接收并與其內(nèi)部的本振信號混頻后得到一中頻信號，二維掃描裝置控制太赫茲發(fā)射源在距離待測樣品表面的一設(shè)定距離處對待測樣品的表面進(jìn)行掃描。