硅基麥克風(fēng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010173213.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101835080B 公開(kāi)（公告）日 2014-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN101835080B 申請(qǐng)公布日 2014-04-30
分類號(hào) H04R19/04(2006.01)I 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 葛舟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 瑞聲微電子科技（常州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518057 廣東省深圳市南山區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園北區(qū)新西路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅基麥克風(fēng)，包括基底、與基底相連的阻擋層、與阻擋層連接的振膜，在基底和阻擋層的中心設(shè)有貫穿二者的空腔，所述振膜包括與阻擋層相連的邊緣部和由邊緣部圍繞的振動(dòng)主體，所述振膜的邊緣部包括與阻擋層相連的高應(yīng)力的氮化硅層和與氮化硅層相連的低應(yīng)力的多晶硅層，所述振膜的振動(dòng)主體僅包括低應(yīng)力的多晶硅層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本發(fā)明振膜的邊緣部由兩層構(gòu)成，其振動(dòng)主體為單層結(jié)構(gòu)，可明顯地降低寄生電容，以提供產(chǎn)品的靈敏度；并且，也大大減少其他結(jié)構(gòu)層高應(yīng)力對(duì)薄膜產(chǎn)生的應(yīng)力梯度，從而達(dá)到釋放應(yīng)力的目的。