硅電容麥克風(fēng)及制造硅電容麥克風(fēng)的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010144913.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101808263B 公開(kāi)（公告）日 2013-04-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN101808263B 申請(qǐng)公布日 2013-04-24
分類號(hào) H04R19/04(2006.01)I;H04R31/00(2006.01)I 分類 電通信技術(shù);
發(fā)明人 張睿;楊斌;顏毅林;葛舟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 瑞聲微電子科技（常州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518057 廣東省深圳市南山區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園北區(qū)新西路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅電容麥克風(fēng)，其包括基底、與基底相連的支撐層、振膜、與振膜相連的振膜電極、與振膜電極電導(dǎo)通的振膜焊盤(pán)、背板、與背板相連的背板電極、與背板電極電導(dǎo)通的背板焊盤(pán)，其中振膜與背板通過(guò)支撐層相對(duì)設(shè)置，支撐層包括相互獨(dú)立、互不連接的第一支撐層和第二支撐層，振膜焊盤(pán)與背板焊盤(pán)分別設(shè)置在第一支撐層、第二支撐層上。可以降低寄生電容，提高絕緣電阻。