一種具有超結結構的半導體器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810150564.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108376713B 公開（公告）日 2021-01-15
申請公布號 CN108376713B 申請公布日 2021-01-15
分類號 H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王振海 申請（專利權）人 匯佳網（天津）科技有限公司
代理機構 哈爾濱市松花江專利商標事務所 代理人 王振海;匯佳網（天津）科技有限公司
地址 300110 天津市南開區(qū)衛(wèi)津路與萬德莊大街交口西南側新都大廈1-1-505-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有超結結構的半導體器件及其制作方法，涉及半導體芯片技術領域，包括：N型襯底、N+區(qū)、P?體區(qū)、PN交替超結區(qū)、N+源區(qū)、柵極氧化層、多晶硅柵極、介質層隔離、器件源極金屬和器件漏極金屬。PN交替超結區(qū)由P+層與N+層橫向間隔交替排列，N+區(qū)的中央區(qū)內部橫向設置有由超結P型柱組成的超結P型柱陣列組。該技術方案緩解了現有技術存在的導通電阻大、飽和電流低的技術問題，有效保證了半導體器件的耐壓性能，提高了半導體器件的飽和電流，減小了器件的導通電阻，充分發(fā)揮了超結結構的優(yōu)勢，有效利用器件面積，降低了器件的生產成本，改善半導體器件的導通性能。