一種高頻雙極晶體管制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011460215.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112563324A | 公開（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請公布號 | CN112563324A | 申請公布日 | 2021-03-26 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/73(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張新欣 | 申請（專利權(quán)）人 | 匯佳網(wǎng)（天津）科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 哈爾濱市松花江專利商標事務(wù)所 | 代理人 | 高倩 |
| 地址 | 300000天津市南開區(qū)衛(wèi)津路與萬德莊大街交口西南側(cè)新都大廈1-1-505-1 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明的一種高頻雙極晶體管制備方法涉及一種帶有外置基區(qū)結(jié)構(gòu)的雙極晶體管制造方法，目的是為了克服在現(xiàn)有的雙極晶體管結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上降低器件Vcesat時，影響器件BVCBO的問題，方法如下：制成重摻雜N型阱區(qū)，該重摻雜N型阱區(qū)貫穿N型外延層，且底部插入N型埋層；使用光刻膠將表面淺槽處的重摻雜N型阱區(qū)覆蓋，再通過光刻膠和氧化硅阻擋，在重摻雜N阱的兩側(cè)做P+外基區(qū)的傾斜注入，且使重摻雜N阱與P+外基區(qū)達到電荷平衡；對基區(qū)進行快速熱退火，使得多晶硅?1內(nèi)的P型雜質(zhì)進入到N型外延層，形成P型的基區(qū)接觸區(qū)，基區(qū)接觸區(qū)與P+外基區(qū)連接；并且，基區(qū)接觸區(qū)的濃度要大于P+外基區(qū)的濃度。?? |
