基于彎曲碳納米管的場效應(yīng)晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201721907549.4 申請日 -
公開（公告）號 CN207676911U 公開（公告）日 2018-07-31
申請公布號 CN207676911U 申請公布日 2018-07-31
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳江釵;吳澤文;龔奎 申請（專利權(quán)）人 鴻之微科技（上海）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海一平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 鴻之微科技（上海）股份有限公司
地址 201206 上海市浦東新區(qū)新金橋路1888號11號樓204室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件，公開了一種基于彎曲碳納米管的場效應(yīng)晶體管。在本實(shí)用新型的場效應(yīng)晶體管中，彎曲的碳納米管從源極穿過溝道區(qū)延伸到漏極，基于彎曲碳納米管的場效應(yīng)晶體管可以將場效應(yīng)晶體管的尺寸做到幾個納米級別，并且在電子輸運(yùn)方面保持良好的性能。