一種基于三NMOS管并聯(lián)的大功率浪涌電壓抑制模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921967609.0 申請日 -
公開（公告）號 CN211063335U 公開（公告）日 2020-07-21
申請公布號 CN211063335U 申請公布日 2020-07-21
分類號 H02H9/04(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 周成龍;張梓超;陳曉薇;薛峰;郭艷輝;劉強;趙少瓊;趙煒銘;李子森;蘇醒;黨麗 申請（專利權）人 中國兵器工業(yè)新技術推廣研究所
代理機構 中國兵器工業(yè)集團公司專利中心 代理人 王雪芬
地址 100089北京市海淀區(qū)車道溝10號院
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種基于三NMOS管并聯(lián)的大功率浪涌電壓抑制模塊，屬于機載電子設備技術領域。本實用新型基于多個NMOS管并聯(lián)，設計了一種電路原理簡單、可靠性高、結構緊湊、導通電流30A的大功率浪涌抑制模塊，其中通過在每個NOMS場效應管的柵極端串接一個5.1Ω電阻(電阻R1、R2、R3)，消除了三個NOMS場效應管的器件參數(shù)差異的多場效應管并聯(lián)防振蕩電路設計方案，整個電路原理簡單，易于實現(xiàn)，產(chǎn)品可靠性高，浪涌抑制模塊的通流量大，達到30A通流量；浪涌抑制模塊導通內(nèi)阻低，發(fā)熱量小，電壓降小。??