一種低熔點(diǎn)合金及其制備方法、應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010199485.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113430440A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113430440A 申請(qǐng)公布日 2021-09-24
分類(lèi)號(hào) C22C28/00（2006.01）I;C22C30/04（2006.01）I;C22C1/02（2006.01）I;H01B1/02（2006.01）I;B23K35/26（2006.01）I;B33Y70/00（2020.01）I 分類(lèi) 冶金；黑色或有色金屬合金；合金或有色金屬的處理;
發(fā)明人 曹宇 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京夢(mèng)之墨科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100081北京市海淀區(qū)北四環(huán)西路67號(hào)中關(guān)村國(guó)際創(chuàng)新大廈505
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種低熔點(diǎn)合金及其制備方法、應(yīng)用，涉及新材料技術(shù)領(lǐng)域。按質(zhì)量分?jǐn)?shù)計(jì)，本發(fā)明提供的低熔點(diǎn)合金包括：錫35％～42％、鉍8.5％～11.5％、鎵0.05％～0.8％和銦46％～55.4％；所述低熔點(diǎn)合金的熔點(diǎn)為80℃～110℃。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠同時(shí)滿(mǎn)足基于有機(jī)膜材的電子電路增材制造過(guò)和電子元件牢固焊接的要求。